期刊論文(共計50筆) |
序號 | 學年度 | 學期 | 年度 | 月份 | 作者 | 題目 | 通訊作者 | 作者順位 | 期刊名稱 | 卷數 | 頁數 | 關鍵字 |
1 | 078 | 1 | 1990 | 1 | Y. K. Su and K. J. Gan | Raman spectra of Si-implanted GaSb | 是 | 第二順位 | Journal of Applied Physics | 68 | 5584-5587 | |
2 | 078 | 1 | 1990 | 1 | F. S. Juang, Y. K. Su, N. Y. Li, and K. J. Gan | Effects of TMSb/TEGa ratios on epilayer properties of GaSb grown by low pressure MOCVD | 是 | 其他 | Journal of Applied Physics | 68 | 6383-6387 | |
3 | 079 | 1 | 1991 | 1 | Y. K. Su, F. S. Juang, N. Y. Li, K. J. Gan and T. S. Wu | Heteroepitaxial growth of gallium antimonide on GaAs by low pressure MOVPE | 是 | 其他 | Solid State Electronics | 34 | 815-819 | |
4 | 079 | 1 | 1991 | 1 | Y. K. Su, K. J. Gan*, F. S. Juang and J. S. Hwang | Characterization of Si-implanted gallium antimonide | 是 | 第二順位 | ,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research | 55 | 794-797 | |
5 | 079 | 1 | 1991 | 1 | Y. K. Su, F. S. Juang, and K. J. Gan | Ohmic contacts of AuGeNi and Ag/AuGeNi to n-GaSb with various sintering temperature | 是 | 第三順位 | Japanese Journal of Applied Physics | 30 | 914-916 | |
6 | 085 | 1 | 1997 | 1 | Kwang-Jow Gan* and Yan-Kuin Su | Modeling current-voltage and hysteretic current-voltage characteristics with two resonant tunneling diodes connected in series | 否 | 第一順位 | Solid State Electronics | 41 | 1917-1922 | |
7 | 085 | 1 | 1997 | 1 | Kwang-Jow Gan* and Yan-Kuin Su | Modeling multipeak current-voltage characteristic and hysteresis phenomena for several resonant tunneling diodes connected in series | 否 | 第一順位 | Journal of Applied Physics | 82 | 5822-5828 | |
8 | 085 | 1 | 1997 | 1 | Kwang-Jow Gan* and Yan-Kuin Su | Improved circuit design of multipeak current-voltage characteristics based on resonant tunneling diodes | 否 | 第一順位 | Japanese Journal of Applied Physics | 36 | 6280-6284 | |
9 | 085 | 1 | 1997 | 1 | Kwang-Jow Gan*, Yan-Kuin Su and Ruey-Lue Wang | Modeling of three-peak current-voltage vharacteristics with two resonant tunneling diodes connected in series) | 否 | 第一順位 | Journal of Applied Physics | 81 | 6825-6829 | |
10 | 086 | 1 | 1998 | 1 | Kwang-Jow Gan and Yan-Kuin Su | Novel multipeak current-voltage characteristic of series-connected negative differential resistance devices | 否 | 第一順位 | IEEE Electron Devices Letter | 19 | 109-111 | |
11 | 086 | 1 | 1998 | 1 | Kwang-Jow Gan*, Yan-Kuin Su and Ruey-Lue Wang | Simulation and analysis of negative differential resistance devices and circuits by load-line method and Pspice | 否 | 第一順位 | Solid State Electronics | 42 | 176-180 | |
12 | 088 | 1 | 2000 | 1 | Kwang-Jow Gan | Novel four-peak or five-peak current-voltage characteristics for three negative differential resistance devices in series | 否 | 第一順位 | Solid State Electronics | 44 | 1597-1602 | |
13 | 089 | 1 | 2001 | 1 | Kwang-Jow Gan | The low-high-low I-V characteristics of five to seven peaks based on four NDR devices | 否 | 第一順位 | IEEE Transaction on Electron Devices | 48 | 1683-1687 | |
14 | 089 | 1 | 2001 | 1 | Kwang-Jow Gan | Hysteresis phenomena for the series circuit of two identical negative differential resistance devices | 否 | 第一順位 | Japanese Journal of Applied Physics | 40 | 2159-2164 | |
15 | 090 | 1 | 2002 | 1 | Kwang-Jow Gan | Characterization of the extrinsic hysteresis phenomena of series-connected identical Esaki-diode-like NDR devices | 否 | 第一順位 | Japanese Journal of Applied Physics | 41 | 1293-1299 | |
16 | 091 | 1 | 2003 | 1 | Kwang-Jow Gan | Investigation of the Combined Current-Voltage Characteristics of Two Similar Esaki-Diode-Like Devices | 否 | 第一順位 | Japanese Journal of Applied Physics | 42 | 6354-6358 | |
17 | 094 | 1 | 2006 | 1 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, Dong-Shong Liang, Chun-Ming Wen, and Yaw-Hwang Chen | Tri-Valued Memory Circuit Using MOS-BJT-NDR Circuits Fabricated by Standard SiGe Process | 否 | 第一順位 | Japanese Journal of Applied Physics | 45 | 977-979 | |
18 | 094 | 1 | 2006 | 1 | Kwang-Jow Gan*, Yaw-Hwang Chen, Cher-Shiung Tsai, and Long-Xian Su | Four-Valued Memory Circuit Using Three-Peak MOS-NDR Devices and Circuits | 否 | 第一順位 | Electronics Letters | 42 | 21-22 | |
19 | 095 | 2 | 2007 | 4 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, and Wei-Lun Sun | Fabrication and Application of MOS-HBT-NDR Circuit Using Standard SiGe Process | 否 | 第一順位 | Electronics Letters | 43 | 516-517 | |
20 | 096 | 1 | 2007 | 9 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen and Chun-Ming Wen | Multiple-Valued Decoder Using MOS-HBT-NDR Circuit | 否 | 第一順位 | Electronics Letters | 43 | 1092-1093 | |
21 | 096 | 2 | 2008 | 2 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, Dong-Shong Liang, Chun-Da Tu, and Yaw-Hwang Chen | Multiple-Input NOR Logic Design Using Negative Differential Resistance Circuits Implemented by Standard SiGe Process | 否 | 第一順位 | Solid-State Electronics | 52 | 175-178 | |
22 | 096 | 2 | 2008 | 6 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, Chun-Ming Wen, and Yaw-Hwang Chen | Design and Fabrication of Multiple-Valued Multiplexer Using Negative Differential Resistance Circuits and Standard SiGe Process | 否 | 第一順位 | Solid-State Electronics, | 52 | 882-885 | |
23 | 098 | 1 | 2009 | 12 | J. J. Lu, S. Y. Tsai, Y. M. Lu, T. C. Lin, and K. J. Gan | Al-doping effect on structural, transport and optical properties of ZnO films by simultaneous RF and DC magnetron sputtering | 否 | 其他 | Solid State Communications | 149 | 2177–2180 | |
24 | 097 | 2 | 2009 | 5 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, and Cher-Shiung Tsai | Novel Multiple-Selected and Multiple-Valued Memory Design Using Negative Differential Resistance Circuits Suitable for Standard SiGe-Based BiCMOS Process | 否 | 第一順位 | Analog Integrated Circuits and Signal Processing | 59 | 161-167 | |
25 | 097 | 2 | 2009 | 5 | Dong-Shong Liang, Kwang-Jow Gan*, Cheng-Chi Tai, and Cher-Shiung Tsai | Standard BiCMOS Implementation of a Two-Peak Negative Differential Resistance Circuit with High and Adjustable Peak-to-Valley Current Ratio | 否 | 第二順位 | IEICE Transactions on Electronics | 92 | 635-638 | |
26 | 098 | 1 | 2010 | 1 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, and Dong-Shong Liang | Design and Characterization of the Negative Differential Resistance Circuits Using the CMOS and BiCMOS Process | 否 | 第一順位 | Analog Integrated Circuits and Signal Processing | 62 | 63-68 | |
27 | 099 | 1 | 2010 | 12 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, Yan-Wun Chen, and Wen-Kuan Yeh | Voltage-Controlled Multiple-Valued Logic Design Using Negative Differential Resistance Devices | 否 | 第一順位 | Solid-State Electronics | 54 | 1637–1640 | |
28 | 098 | 2 | 2010 | 4 | Kwang-Jow Gan*, and Dong-Shong Liang | Investigation of Adjustable Current-Voltage Characteristics and Hysteresis Phenomena for Multiple-Peak Negative Differential Resistance Circuit | 否 | 第一順位 | IEICE Transactions on Electronics | 93 | 514-520 | |
29 | 098 | 2 | 2010 | 6 | J. J. Lu, T. S. Mo, K. J. Gan, T. C. Lin, and M. K. Lee | Observation of RKKY-Kondo Competition and Non-Fermi-Liquid Behavior in the Intermetallic Compound Series Ce(Cu1-xNix)Si2 | 否 | 第三順位 | Journal of Superconductivity and Novel Magnetism | 23 | 1473–1477 | |
30 | 099 | 1 | 2010 | 8 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, and Yan-Wun Chen | Novel Multiple-Valued Logic Design Using BiCMOS-Based Negative Differential Resistance Circuit Biased by Two Current Sources | 否 | 第一順位 | IEICE Transactions on Information and Systems | 93 | 2068-2072 | |
31 | 099 | 2 | 2011 | 2 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, Yu-Kuang Li, and Jeng-Jong Lu | Logic Circuit Design Using Monostable-Bistable Transition Logic Element Based on Standard BiCMOS Process | 是 | 第一順位 | Microelectronics Journal | 42 | 477-482 | |
32 | 099 | 2 | 2011 | 3 | J. J. Lu, T. C. Lin, S. Y. Tsai, T. S. Mo, K. J. Gan | Structural, magnetic and transport properties of Ni-doped ZnO films | 是 | 第一順位 | Journal of Magnetism and Magnetic Materials | 323 | 829-832 | |
33 | 099 | 2 | 2011 | 3 | 6. Wen-Kuan Yeh, Yu-Ting Chen, Fon-Shan Huang, Chia-Wei Hsu, Chun-Yu Chen, Yean-Kuen Fang, Kwang-Jow | The Improvement of High-k/Metal Gate pMOSFET Performance and Reliability Using Optimism Si Cap/SiGe Channel Structure | 是 | 第一順位 | IEEE Transactions on Device and Materials Reliability | 11 | 7-12 | |
34 | 099 | 2 | 2011 | 6 | Bing-Jing Li, Chih-Hsiang Chang, Yun-Kuin Su, and Kwang-Jow Gan, | Thermal Dissipation of High-Brightness Light Emitting Diode by Using Multi-walled Carbon Nanotube/SiC Composites | 否 | 其他 | Japanese Journal of Applied Physics | 50 | 06GE09-06GE09-4 | |
35 | 100 | 1 | 2011 | 8 | J. J. Lu, T. S. Mo, K. J. Gan, J. F. Chou, M. K. Lee | Magnetic anomalies and spin-glass-like behavior in Ce2CuGe6 | 否 | 第三順位 | Journal of Superconductivity and Novel Magnetism | 24 | 1991-1995 | |
36 | 100 | 1 | 2011 | 9 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, Chi-Wen Hsien, Yu-Kuang Li, and Wen-Kuan Yeh, | Design of Monostable-Bistable Transition Logic Element Using the BiCMOS-Based Negative Differential Resistance Circuit | 是 | 第一順位 | Analog Integrated Circuits and Signal Processing | 68 | 379-385 | |
37 | 100 | 1 | 2012 | 1 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, Kuan-Yu Chun, Wen-Kuan Yeh, and Jeng-Jong Lu | Frequency Divider Design Using the Combination of Transistors and Passive Devices | 是 | 第一順位 | Analog Integrated Circuits and Signal Processing | 70 | 141-145 | |
38 | 101 | 1 | 2012 | 10 | Cher-Shiung Tsai, Kwang-Jow Gan*, and Ming-Shin Lin, | Low Phase Noise and Wide Tuning Range VCO Using the MOS Differential Amplifier with Active Loa | 是 | 第二順位 | Circuits and Systems | 3 | 307-310 | |
39 | 101 | 1 | 2012 | 10 | Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, and Shih-Hao Liu, | Multiple-Input Logic Circuit Design Using BiCMOS-Based Negative Differential Resistance Circuits | 是 | 第一順位 | Analog Integrated Circuits and Signal Processing | 73 | 409-414 | |
40 | 100 | 2 | 2012 | 5 | Chih-Lung Lin, Chun-Da Tu, Cha-En. Wu, Chia-Che Hung, Kwang-Jow Gan | Low Power Gate Driver Circuit for TFT-LCD Application | 否 | 其他 | IEEE Trans Electron Devices | 59 | 1410-1415 | |
41 | 101 | 2 | 2013 | 2 | Wen-Kuan Yeh, Po-Ying Chen, Kwang-Jow Gan, Jer-Chyi Wang, and Chao-Sung Lai, | The Impact of Interface/Border Defect on Performance and Reliability of High-k/Metal-Gate CMOSFET | 否 | 第三順位 | Microelectronics Reliability | 53 | 265-269 | |
42 | 101 | 2 | 2013 | 5 | Kwang-Jow Gan*, Zheng-Jie Jiang, Cher-Shiung Tsai, Din-Yuen Chan, Jian-Syong Huang, Zhen-Kai Kao, | Design of NDR-Based Oscillators Suitable for the Nano-Based BiCMOS Technique | 是 | 第一順位 | Applied Mechanics and Material | 328 | 669-673 | |
43 | 101 | 2 | 2013 | 6 | Kwang-Jow Gan*, Zhen-Kai Kao, Cher-Shiung Tsai, Din-Yuen Chan, and Jian-Syong Huang | Logic Circuit Design Based on Series-Connected CMOS-NDR Circuit | 是 | 第一順位 | International Journal of Computer Theory and Engineering | 5 | 562-566 | |
44 | 101 | 2 | 2013 | 6 | J.J. Lu, K.J. Gan, T.S. Mo, and T.C. Lin | Observation of the quantum critical behavior in the evolution from spin-glass to intermediate-valence behavior in Ce2Cu1-xCoxSi3 series, | 否 | 第二順位 | Journal of Superconductivity and Novel Magnetism | 26 | 2175-2179 | |
45 | 104 | 1 | 2015 | 8 | Kwang-Jow Gan*, Kuan-Yu Chun, Wen-Kuan Yeh, Yaw-Hwang Chen, Wein-So Wang | Design of Dynamic Frequency Divider Using Negative Differential Resistance Circuit | 是 | 第一順位 | International Journal on Recent and Innovation Trends in Computing and Communication | 3 | 5224-5228 | |
46 | 105 | 1 | 2016 | 12 | Wen-Kuan Yeh, Wenqi Zhang, Yi-Lin Yang, An-Ni Dai, Kehuey Wu, Tung-Huan Chou, Cheng-Li Lin, Kwang-Jo | The Observation of Width Quantization Impact on Device Performance and Reliability for High-k/Metal Tri-Gate FinFE | 是 | 第一順位 | IEEE Transactions on Device and Materials Reliability | 16 | 610-616 | |
47 | 104 | 2 | 2016 | 3 | Kwang-Jow Gan*, Zheng-Jie Jiang, Yaw-Hwang Chen, and Wen-Kuan Yeh | Application of NDR-Based Van Der Pol Oscillator Based on BiCMOS Technology | 是 | 第一順位 | Far East Journal of Electronics and Communications | 16 | 189-198 | |
48 | 104 | 2 | 2016 | 6 | Kwang-Jow Gan*, Jeng-Jong Lu, Wen-Kuan Yeh, Yaw-Hwang Chen, and Yan-Wun Chen | Multiple-Valued Logic Design Based on the Multiple-Peak BiCMOS-NDR Circuits | 是 | 第一順位 | Engineering Science and Technology, an International Journal | 19 | 888-893 | |
49 | 106 | 2 | 2018 | 7 | wang-Jow Gan*, Chun-I Guo, Ping-Feng Wu, and Yaw-Hwang Chen | Design and Analysis of the Dynamic Frequency Divider Using the BiCMOS-NDR Chaos-Based Circuit | 是 | 第一順位 | Analog Integrated Circuits and Signal Processing | 96 | 9-19 | |
50 | 107 | 1 | 2018 | 9 | Kwang-Jow Gan*, Jian-Syong Huang, Wen-Kuan Yeh, Chun-Yi Guo, and Jeng-Jong Lu | Design of Multi-Threshold Threshold Gate Using MOS-NDR Circuits Suitable for CMOS Process | 是 | 第一順位 | Analog Integrated Circuits and Signal Processing | 96 | 409-416 | |
會議論文(共計274筆) |
序號 | 學年度 | 學期 | 年度 | 月份 | 作者 | 題目 | 通訊作者 | 作者順位 | 發表性質 | 會議論文集或研討會名稱 | 地點 |
1 | 078 | 1 | 1990 | 1 | T. S. Wu, Y. K. Su, F. S. Juang, N. Y. Li, and K. J. Gan | Effects of TMSb/TEGa ratios on epilayer properties of GaSb grown by low pressure MOCVD. | 是 | 其他 | 書面發表 | SPIE′s International Conference on Physical Concepts for Novel Optoelectronic Device Applications | |
2 | 078 | 1 | 1990 | 1 | Y. K. Su, F. S. Juang, T. S. Wu, N. Y. Li, and K. J. Gan, | Growth and characterization of undoped GaSb on GaSb and GaAs substrates | 是 | 其他 | 書面發表 | 1990 International Electron Devices and Materiala Symposium (1990, IEDM) | |
3 | 079 | 2 | 1991 | 4 | T. S. Wu, Y. K. Su, F. S. Juang, N. Y. Li, and K. J. Gan | Ohmic and Schottky contacts to GaSb | 是 | 其他 | 書面發表 | International Conference on Thin Film and Applications | |
4 | 083 | 2 | 1995 | 7 | K. J. Gan, S. C. Shei, Y. K. Su, Y. H. Hwang, and M. Yokoyama | Semi-insulating properities of Fe-doped InP grown by metalorganic chemical vapor deposition | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 1995 Electronic Devices and Material Symposium | |
5 | 084 | 1 | 1995 | 8 | Y. K. Su, C. Sun, S. C. Shei, and K. J. Gan | High-frequency equivalent circuit modeling of Fe:InP/InGaAs metal-semiconductor field-effect transistor | 是 | 其他 | 書面發表 | 1st Radio Science Symposium | |
6 | 084 | 2 | 1996 | 3 | Kwang-Jow Gan, Ti-Tasi Lin, Ruey-Lue Wang, Shih-Chang Shei, and Yan-Kuin Su | Study of SiO2/InP MOSFET structure prepared by direct photo-chemical vapor deposition | 是 | 第一順位 | 書面發表 | The 11th Technological and Vocational Education | |
7 | 084 | 2 | 1996 | 3 | 林地財、甘廣宙、林育賢 | 「主動濾波器電腦輔助設計」 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | The 11th Technological and Vocational Education | |
8 | 084 | 2 | 1996 | 6 | Kwang-Jow Gan, Ruey-Lue Wang, and Yan-Kuin Su | Piecewise-linear modeling of current-voltage characteristics of negative differential resistance devices by Pspice Simulation | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 第三屆三軍官校基礎學術研討會 | |
9 | 086 | 1 | 1997 | 10 | 林地財、甘廣宙、謝和銘、陳柏先、鄭書賢 | 「被動/主動濾波器電腦輔助設計」 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | The Third Symposium on Computer & Communication Technology, | |
10 | 085 | 2 | 1997 | 4 | Kwang-Jow Gan, Ti-Tasi Lin, Ruey-Lue Wang, Shih-Chang Shei, and Yan-Kuin Su | Study of low-frequency noise in SiO2/InP MISFET structure | 是 | 第一順位 | 書面發表 | The 12th Technological and Vocational Education, | |
11 | 087 | 1 | 1998 | 12 | Kwang-Jow Gan, Yan-Kuin Su, Ruey-Lue Wang, and Ti-Tasi Lin | The conditions for three-peak current-voltage characteristics by connecting two negative differential resistance devices in series | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 1998 Internationl Electron Devices and Materials Symposium (1998, IEDM) | |
12 | 086 | 2 | 1998 | 6 | 林地財、甘廣宙、謝和銘、陳柏先、鄭書賢 | 「被動/主動濾波器電腦輔助設計」 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 86 學年度技專院校重點科技專題製作論文研討會 | |
13 | 088 | 1 | 1999 | 11 | Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Ti-Tasi Lin, and Cher-Shinug Tasi | Simulation of the combined current-voltage characteristics for NDR devices in series | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 一九九九年電子元件暨材料研討會與中華民國電子材料與元件協會年會(1999, EDMS) | |
14 | 089 | 1 | 2000 | 10 | 林地財, 洪偉銘, 甘廣宙, 謝和銘 | 自製CAD應用於類比濾波器之研究 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2000年暨第五屆全國電腦與通訊研討會 | |
15 | 088 | 2 | 2000 | 4 | 甘廣宙、賴宜賢、黃培凱、陳泂良、郭士賓 | 模擬與分析N型負微分電阻元件串接電路之電腦輔助軟體設計 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 第十五屆全國技術及職業教育研討會 | |
16 | 089 | 1 | 2000 | 8 | Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Cher-Shinug Tasi, and Wein-So Wang | Modeling and simulation of the current-voltage characteristics of identical RTD-like devices in series | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 第十一屆 VLSI Design/CAD 研討會 | |
17 | 090 | 1 | 2001 | 12 | Kwang-Jow Gan, Shyang-Ming Wang, Shi-Bin Kuo, Sheng-Che Pang and Cher-Shiung Tsai | Frequency multiplier using series-connected negative differential resistance devices | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2001 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS) | |
18 | 090 | 1 | 2001 | 12 | Kwang-Jow Gan, Sheng-Che Pang, Shyang-Ming Wang, Shi-Bin Kuo, Hui-Ting Lin and Dong-Shong Liang, | Multi-valued memory cell based on multiple-peak negative differential resistance devices | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2001 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS), | |
19 | 089 | 2 | 2001 | 4 | 甘廣宙、梁東雄、蔡澈雄、賴宜賢、黃培凱 | 模擬與分析類透納二極體元件串聯電路之電腦輔助設計 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 第十六屆全國技術及職業教育研討會 | |
20 | 091 | 1 | 2002 | 12 | Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Pei-Kai Huang, I-Shien Lai, Cher-Shiung Tsai, and Ti-Tasi Lin | Development of Simulation Tool for the Series Circuit of Esaki-Diode-Like Device | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2002 International Electron Devices and Materials Symposium (2002, IEDM) | |
21 | 091 | 1 | 2002 | 12 | Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai, Dong-Shong Liang, and Wein-So Wang, | The Effect of Series Resistance on the Current-Voltage Characteristics of NDR Devices | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2002 International Electron Devices and Materials Symposium (2002, IEDM) | |
22 | 091 | 1 | 2002 | 12 | Kwang-Jow Gan, Shin-Bin Kuo, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, Wein-So Wang, and Ti-Tasi Lin | Frequency Multiplier Using Si-Based Negative Differential Resistance Devices Connected in Parallel | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2002 International Electron Devices and Materials Symposium (2002, IEDM) | |
23 | 091 | 1 | 2002 | 12 | Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, and Shin-Bin Kuo | Novel Inverter Circuit Design Based on Negative Differential Resistance Devices | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2002 International Electron Devices and Materials Symposium (2002, IEDM) | |
24 | 091 | 1 | 2002 | 12 | Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai, Shin-Bin Kuo, Wen-Pin Huang, Hsin-Da Tesng, Fu-Lung Cheng, and Dong-Shong Liang, | Novel Multi-State Memory Circuit Based on Negative Differential Resistance Devices. | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2002 International Electron Devices and Materials Symposium (2002, IEDM) | |
25 | 091 | 1 | 2002 | 12 | Kwang-Jow Gan, Wen-Pin Huang, Hsin-Da Tesng, Cheng-Chih Hsu, and Dong-Shong Liang | Large-Signal DC Model of Multiple-Peak NDR Devices Suitable for PSpice Simulation | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2002 International Electron Devices and Materials Symposium (2002, IEDM) | |
26 | 090 | 2 | 2002 | 4 | 甘廣宙、蔡澈雄、王祥銘、彭聖哲、梁東雄 | 負微分電阻元件設計之反相器的研究 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 第十七屆全國技術及職業教育研討會 | |
27 | 092 | 1 | 2003 | 11 | 黃文賓, 甘廣宙, 李冠榮, 陳耀煌, 蔡澈雄 | 以金氧半-負微分電阻元件與CMOS製程所設計之反相器的研究 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2003中國材料科學學會年會 | |
28 | 092 | 1 | 2003 | 11 | 黃文賓, 甘廣宙, 李冠榮, 曾信達 ,蔡澈雄, 陳耀煌 | 適合CMOS製程的MOS-NDR元件製作與反或閘應用電路的設計 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2003中國材料科學學會年會 | |
29 | 092 | 1 | 2003 | 12 | Kwang-Jow Gan, Wen-Pin Huang, Cher-Shiung Tsai, Kuan-Rong Lee, Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, and Hsin-Da Tesng, | Novel Inverter Design Based on Negative Differential Resistance Devices Fabricated by CMOS Process | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2003 International Conference on Informatics | |
30 | 092 | 1 | 2003 | 9 | Kwang-Jow Gan, Wen-Pin Huang, Hsin-Da Tesng, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Dong-Shong Liang, Shin-Bin Kuo, Kuan-Rong Lee, and Tai-Hsiung Chang | The Combined Current-Voltage Characteristics for Two Similar NDR Devices in Series | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2003 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS) | |
31 | 092 | 1 | 2003 | 9 | Kwang-Jow Gan, Hsin-Da Tesng, Wen-Pin Huang, Cher-Shiung Tsai, Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, Kuan-Rong Lee*, and Shin-Bin Kuo | Seven-Peak Current-Voltage Characteristics Based on the Combination of Four Negative Differential Resistance Devices | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2003 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS) | |
32 | 092 | 1 | 2003 | 9 | Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai, Kuan-Rong Lee*, Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, Shin-Bin Kuo, Fu-Lung Cheng, and Cheng-Chih Hsu | The Multiple-Ladder I-V Characteristics Based on the Combination of S-type NDR Devices | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2003 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS) | |
33 | 092 | 1 | 2003 | 9 | Kwang-Jow Gan, Shin-Bin Kuo, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Dong-Shong Liang, Kuan-Rong Lee*, Fu-Lung Cheng, Hsin-Da Tesng, and Wen-Pin Huang | Implementation of the Multiple-Peak I-V Characteristics by MOS-NDR Devices | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2003 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS) | |
34 | 092 | 1 | 2003 | 9 | Cher-Shiung Tsai, Shin-Bin Kuo, Kwang-Jow Gan, Yaw-Hwang Chen, Cheng-Chih Hsu, Kuan-Rong Lee*, and Dong-Shong Liang | Design and Fabrication of Prototype MOS-NDR Devices by CMOS Technology | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2003 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS) | |
35 | 092 | 1 | 2003 | 9 | Cher-Shiung Tsai, Fu-Lung Cheng, Kwang-Jow Gan, Yaw-Hwang Chen Hsin-Da Tesng, Dong-Shong Liang, and Cheng-Chih Hsu, | Characterization of Prototype BJT-MOS-NDR Devices by BiCMOS Technology | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2003 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS) | |
36 | 092 | 1 | 2003 | 9 | Yaw-Hwang Chen, Cheng-Chih Hsu, Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai Shin-Bin Kuo, and Fu-Lung Cheng | Model Analysis and Simulation of the MOS-NDR Device | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2003 Electronic Devices and Material Symposium (EDMS) | |
37 | 093 | 1 | 2004 | 12 | Kwang-Jow Gan, Chi-Pin Chen, Long-Xian Su, To-Kai Liang, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Chung-Chih Hsiao, Shih-Yu Wang, and Feng-Chang Chiang, | A NAND Gate Design Based on MOS-NDR Devices and Circuits Implemented by CMOS Technology | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 1st Applied Science and Technology-Photonics and Communications (ASTC) | |
38 | 093 | 1 | 2004 | 12 | To-Kai Liang, Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai, Shih-Yu Wang, Chung-Chih Hsiao, Feng-Chang Chiang, Yaw-Hwang Chen, Chi-Pin Chen, and Long-Xian Su | Oscillator Design by MOS-NDR Devices and Circuits | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 1st Applied Science and Technology-Photonics and Communications (ASTC) | |
39 | 093 | 1 | 2004 | 12 | To-Kai Liang, Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Chi-Pin Chen, Long-Xian Su, Chung-Chih Hsiao, Feng-Chang Chiang, and Shih-Yu Wang | Frequency Multiplier Using Multiple-Peak MOS-NDR Devices and Circuits | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 1st Applied Science and Technology-Photonics and Communications (ASTC) | |
40 | 093 | 1 | 2004 | 12 | To-Kai Liang, Shih-Yu Wang, Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai, Chung-Chih Hsiao, Feng-Chang Chiang, Yaw-Hwang Chen, Chi-Pin Chen, and Long-Xian Su | Design and Simulation of Voltage Controlled Oscillator with High Frequency by Negative Differential Resistance Devices and Integrated Circuits | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 1st Applied Science and Technology-Photonics and Communications (ASTC) | |
41 | 093 | 1 | 2004 | 8 | Kwang-Jow Gan, To-Kai Liang, Shin-Bin Kuo, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen,Chi-Pin Chen, and Long-Xian Su | A NOR Logic Circuit Based on MOS-NDR Devices Fabricated by CMOS Technology | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 第十五屆 VLSI Design/CAD 研討會 | |
42 | 094 | 1 | 2005 | 11 | Kwang-Jow Gan, Chun-Da Tu, Chi-Pin Chen, Yaw-Hwang Chen, Cher-Shiung Tsai, Dong-Shong Liang, Wei-Lun Sun, Chia-Hung Chen, Chun-Ming Wen, Chung-Chih Hsiao, Shih-Yu Wang, and Feng-Chang Chiang | Frequency Divider Design Using Negative Differential Resistance Device | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2005電子元件暨材料研討會 | |
43 | 094 | 1 | 2005 | 11 | Kwang-Jow Gan, Chung-Chih Hsiao, Shih-Yu Wang, Feng-Chang Chiang, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Dong-Shong Liang, Chun-Da Tu, Wei-Lun Sun, Chia-Hung Chen, Chun-Ming Wen, Chun-Chieh Liao,... | Design and Fabrication of Voltage-Controlled Oscillator by Novel MOS-MDR Device | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2005電子元件暨材料研討會 | |
44 | 094 | 1 | 2005 | 11 | Cher-Shiung Tsai, Ming-Yi Hsieh, Jia-Ming Wu, Chun-Chieh Liao, Jeng-Lung Wu, Kwang-Jow Gan, Yaw-Hwang Chen, Dong-Shong Liang, Chia-Hung Chen and Chung-Chih Hsiao | An Oscillator Design Based on MOS Differential Amplifier by Simulation | 是 | 其他 | 書面發表 | 2005電子元件暨材料研討會 | |
45 | 094 | 1 | 2005 | 11 | Cher-Shiung Tsai, Chun-Chieh Liao, Ming-Yi Hsieh, Jia-Ming Wu, Tien-Hung Chang, Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, and Chia-Hung Chen | An Oscillator Design Based On BJT Differential Amplifier by Simulation | 是 | 其他 | 書面發表 | 2005年民生電子暨信號處理研討會 | |
46 | 094 | 1 | 2005 | 11 | 塗俊達、甘廣宙、王仕裕、蔡澈雄、陳耀煌 | 以MOS-BJT-NDR元件設計壓控振盪器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2005全國網際網路暨通訊科技研討會 | |
47 | 094 | 1 | 2005 | 11 | 溫峻明、陳耀煌、甘廣宙、蔡澈雄 | 以MOS-BJT-NDR元件設計多值多工器電路 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2005全國網際網路暨通訊科技研討會 | |
48 | 094 | 1 | 2005 | 11 | Cher-Shiung Tsai, Jia-Ming Wu, Ming-Yi Hsieh, Chun-Chieh Liao, Jeng-Lung Wu, Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, and Chia-Hung Chen, | A VHF Oscillator Design Based on MOS Differential Amplifier | 是 | 其他 | 書面發表 | 2005全國網際網路暨通訊科技研討會 | |
49 | 094 | 1 | 2005 | 12 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, and Shin-Bin Kuo. | OR and NOR Logic Circuit Design Using Negative Differential Resistance Device Fabricated by CMOS Process | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits | |
50 | 094 | 1 | 2005 | 12 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Chung-Chih Hsiao, Cher-Shiung Tsai, and Yaw-Hwang Chen | Investigation of MOS-NDR Voltage Controlled Ring Oscillator Fabricated by CMOS Process | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC) | |
51 | 093 | 2 | 2005 | 4 | Cher-Shiung Tsai, Chung-Chih Hsiao, Kwang-Jow Gan, Jia-Ming Wu, Ming-Yi Hsieh, Chun-Chieh Liao, Shih-Yu Wang, Feng-Chang Chiang, Dong-Shong Liang, and Yaw-Hwang Chen | An Oscillator Design Based on MOS-NDR Inverter | 是 | 第三順位 | 書面發表 | International Conference on Systems and Signals | |
52 | 093 | 2 | 2005 | 4 | Yaw-Hwang Chen, Long-Xian Su, Chi-Pin Chen, Kwang-Jow Gan, and Cher-shiung Tsai | Design and Simulation of Discrete-Time Cellular Neural Network by Negative Differential Resistance Devices | 是 | 其他 | 書面發表 | International Conference on Systems and Signals | |
53 | 093 | 2 | 2005 | 4 | Yaw-Hwang Chen, Chi-Pin Chen, Long-Xian Su, Kwang-Jow Gan, and Cher-Shiung Tsai | Design and Numerical Analysis of Frequency Divider by Negative Differential Resistance Devices | 是 | 其他 | 書面發表 | International Conference on Systems and Signals | |
54 | 093 | 2 | 2005 | 5 | Dong-Shong Liang, Kwang-Jow Gan, Chung-Chih Hsiao, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Shun-Huo Kuo, and Hsin-Da Tesng, | Implementation of R-BJT-NDR Devices and Inverter Circuit by BiCMOS Technology | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第三屆微電子技術發展與應用研討會 | |
55 | 093 | 2 | 2005 | 5 | Cher-Shiung Tsai, Chun-Chieh Liao, Jia-Ming Wu, Ming-Yi Hsieh, Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, Chia-Hung Chen, and To-Kai Liang, | An Oscillator Design Based on BJT Differential Amplifier | 是 | 其他 | 書面發表 | 第三屆微電子技術發展與應用研討會 | |
56 | 093 | 2 | 2005 | 7 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Chung-Chih Hsiao, Shih-Yu Wang, Feng-Chang Chiang, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Shun-Huo Kuo, and Chi-Pin Chen | Logic Circuit Design Based on MOS-NDR Devices and Circuits Fabricated by CMOS Process | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2005 International Workshop on System-on-Chip | |
57 | 093 | 2 | 2005 | 7 | Dong-Shong Liang, Kwang-Jow Gan*, Chung-Chih Hsiao, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Shih-Yu Wang, Shun-Huo Kuo, Feng-Chang Chiang, and Long-Xian Su | Novel Voltage-Controlled Oscillator Design by MOS-NDR Devices and Circuits | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2005 International Workshop on System-on-Chip | |
58 | 093 | 2 | 2005 | 7 | Dong-Shong Liang, Kwang-Jow Gan*, Long-Xian Su, Chi-Pin Chen, Chung-Chih Hsiao, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Shih-Yu Wang, Shun-Huo Kuo, and Feng-Chang Chiang | Four-Valued Memory Circuit Designed by Multiple-Peak MOS-NDR Devices and Circuits | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2005 International Workshop on System-on-Chip | |
59 | 093 | 2 | 2005 | 7 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Shih-Yu Wang, Chung-Chih Hsiao, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, and Feng-Chang Chiang, | High-Frequency Voltage-Controlled Oscillator Design by MOS-MDR Devices and Circuits | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2005 IEEE AP-S Interational Symposium and USNC/URSI National Radio Science Meeting | |
60 | 094 | 1 | 2005 | 8 | Cher-Shiung Tsai, Jia-Ming Wu, Ming-Yi Hsieh, Chun-Chieh Liao, Tien-Hung Chang, Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, Chia-Hung Chen, and Chun-Ming Wen | A MOS Differential Amplifier Oscillator | 是 | 其他 | 書面發表 | 第十六屆VLSI Design/CAD 研討會 | |
61 | 094 | 2 | 2006 | 1 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, and Chun-Ming Wen | Five-State Logic Using MOS-HBT-NDR Circuit by Standard SiGe BiCMOS Process | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2006 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS 2006) | |
62 | 094 | 2 | 2006 | 1 | Dong-Shong Liang, Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, and Yaw-Hwang Chen, | AND and NAND Logic Circuit Design Using NDR-Based Device Suitable for CMOS Process | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2006 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS 2006) | |
63 | 095 | 1 | 2006 | 11 | 林奕志、甘廣宙、陳耀煌、揚緒濃、劉育昇 | 以MOS-HBT-NDR元件設計多值多工器 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第一屆電資科技應用與發展學術研討會 | |
64 | 095 | 1 | 2006 | 12 | 邱景祥、沈俊佑、蔡澈雄、甘廣宙 | 以MOS-HBT-NDR元件設計新型多值記憶器電路 | 是 | 其他 | 書面發表 | 第一屆電資科技應用與發展學術研討會 | |
65 | 095 | 1 | 2006 | 12 | 陳裕翔、黃致校、邱景祥、甘廣宙、蔡澈雄 | 以MOS疊串主動負載差動放大器為設計基礎的振盪器之模擬 | 是 | 其他 | 書面發表 | 第一屆電資科技應用與發展學術研討會 | |
66 | 095 | 1 | 2006 | 12 | 劉士豪、甘廣宙、蔡澈雄 | 以多峰值負微分電阻元件設計倍頻器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2006多媒體及通訊系統研討會 | |
67 | 095 | 1 | 2006 | 12 | 蔡宗憲、洪家偉、蔡澈雄、甘廣宙、陳耀煌 | 以MOS主動負載差動放大器為設計基礎的振盪器之模擬 | 是 | 其他 | 書面發表 | 2006多媒體及通訊系統研討會 | |
68 | 095 | 1 | 2006 | 12 | 孫偉倫、甘廣宙 | 以MOS-HBT-NDR元件串聯電感-電阻來實現振盪器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第一屆電資科技應用與發展學術研討會 | |
69 | 095 | 1 | 2006 | 12 | 孫偉倫、甘廣宙、蔡澈雄 | 以HBT-NDR元件設計振盪器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第一屆電資科技應用與發展學術研討會 | |
70 | 095 | 1 | 2006 | 12 | 洪士勛、甘廣宙、陳耀煌 | 以MOS-HBT-NDR元件設計類比/數位轉換器 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第一屆電資科技應用與發展學術研討會 | |
71 | 095 | 1 | 2006 | 12 | Kwang-Jow Gan, Yi-Zhi Lin, Jing-Siang Ciou, Yu-Sheng Liou, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Shih-Hao Liou, Hong,Shih-Syun, and Wang,Jing-Shun | Investigation of the Multiple-Valued Memory Cell Based on MOS-HBT-NDR Circuits | 是 | 第一順位 | 書面發表 | Internationl Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) | |
72 | 095 | 1 | 2006 | 12 | Cher-Shiung Tsai, Zong-Xian Tsai, Kun-Yuan Huang, Kwang-Jow Gan and Dong-Shong Liang | Comparisons between Two Bi-CMOS Differential Amplifier Oscillators | 是 | 其他 | 書面發表 | Internationl Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) | |
73 | 094 | 2 | 2006 | 4 | Kwang-Jow Gan, Chun-Da Tu, Wei-Lun Sun, Yaw-Hwang Chen, Chun-Ming Wen, Cher-Shiung Tsai, and Dong-Shong Liang | Fabrication of MOS-BJT-NDR Voltage Controlled Ring Oscillator by SiGe Process | 是 | 第一順位 | 書面發表 | International Workshop on Multi-Project Chip (IWMC) | |
74 | 094 | 2 | 2006 | 4 | Cher-Shiung Tsai, Chia-Hung Chen, Jia-Wei Hong, Chin-Yo Shen, Yih-Tsan Lee, Kwang-Jow Gan, Yaw-Hwang Chen, and Chun-Ming Wen, | An Oscillator Design Based on BJT Cascode Load Differential Amp | 是 | 其他 | 書面發表 | International Workshop on Multi-Project Chip (IWMC) | |
75 | 094 | 2 | 2006 | 4 | Cher-Shiung Tsai, Chia-Hung Chen, Zong-Xian Tsai, Kun-Yuan Huang, Yu-Xiang Chen, Zhi-Jiao Huang, Kwang-Jow Gan, and Yaw-Hwang Chen, | An Oscillator Design Based on Bi-CMOS Differential Amplifier | 是 | 其他 | 書面發表 | International Workshop on Multi-Project Chip (IWMC) | |
76 | 094 | 2 | 2006 | 6 | Dong-Shong Liang, Kwang-Jow Gan*, Chun-Da Tu, Cher-Shiung Tsai, and Yaw-Hwang Chen | Frequency Multiplier Design Based on Multiple-Peak R-BJT-NDR Devices Fabricated by SiGe Technology | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 16th Biennial University Government Industry Microelectronics Symposium | |
77 | 094 | 2 | 2006 | 6 | Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, Chun-Min Wen, Chun-Da Tu, Kwang-Jow Gan, and Cher-Shiung Tsai | The Design of MOS-BJT-NDR-Based Cellular Neural Network | 是 | 其他 | 書面發表 | 16th Biennial University Government Industry Microelectronics Symposium | |
78 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 孫偉倫、甘廣宙、蔡澈雄、陳耀煌、梁東雄 | 以N型MOS-NDR元件來設計D型正反器 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第一屆智慧生活科技研討會 | |
79 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 孫偉倫、甘廣宙、蔡澈雄、陳耀煌、邱景祥、劉育昇、梁東雄 | 新型正反器的設計及其在除頻器電路上的應用 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2006高速電路板設計研討會 | |
80 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 劉育昇、甘廣宙、蔡澈雄、陳耀煌、邱景祥 | 以負微分電阻元件實現新奇多值多工器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2006高速電路板設計研討會 | |
81 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 塗俊達、甘廣宙、蔡澈雄、陳耀煌、梁東雄、邱景祥 | 以多峰值R-BJT-NDR元件設計倍頻器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2006高速電路板設計研討會 | |
82 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 溫峻明、甘廣宙、陳耀煌、楊緒濃、蔡澈雄、劉育昇 | 以MOS-HBT-NDR元件實現除頻器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2006高速電路板設計研討會 | |
83 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 邱景祥、甘廣宙、梁東雄、林奕志、劉育昇 | 以MOS-NDR元件設計多值記憶器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2006高速電路板設計研討會 | |
84 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 陳家弘、蔡澈雄、甘廣宙、梁東雄、陳耀煌、曾勝暘 | 以負微分電阻元件之壓控振盪器為設計基礎的鎖相迴路之模擬 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2006高速電路板設計研討會 | |
85 | 094 | 2 | 2006 | 6 | Cher-shiung Tsai, Chin-Yo Shen, Yih-Tsan Lee, Jia-Wei Hong, Kun-Yuan Huang, Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang and Yaw-Hwang Chen, | An Oscillator Design Based on Bi-CMOS Cascode Load Differential Amplifier | 是 | 其他 | 書面發表 | 2006高速電路板設計研討會 | |
86 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 甘廣宙、孫偉倫、蔡澈雄、陳耀煌、梁東雄 | 新型Λ型MOS-BJT-NDR元件的設計及其在邏輯電路上的應用 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2006年現代電機科技研討會 | |
87 | 094 | 2 | 2006 | 6 | 陳家弘、蔡澈雄、甘廣宙、梁東雄、陳耀煌 | 以差動放大壓控振盪器為設計基礎的鎖相迴路之模擬 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2006年現代電機科技研討會 | |
88 | 094 | 2 | 2006 | 6 | Cher-shiung Tsai, Chin-Yo Shen, Yih-Tsan Lee, Jia-Wei Hong, Kun-Yuan Huang, Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang and Yaw-Hwang Chen, | Oscillators Design Based on MOS Active Load and Cascode Active Load Differential Amplifier | 是 | 其他 | 書面發表 | 2006年現代電機科技研討會 | |
89 | 094 | 2 | 2006 | 7 | Dong-Shong Liang, Yaw-Hwang Chen, Chun-Min Wen, Chun-Da Tu, Kwang-Jow Gan and Cher-Shiung Tsai | The Design of MOS-NDR-Based Cellular Neural Network | 是 | 其他 | 書面發表 | 2006 International Joint Conference on Neural Networks, | |
90 | 094 | 2 | 2006 | 7 | Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang*, Jing-Shun Wang, Yi-Jhih Lin, Shih-Hao Liou, Shih-Syun Hong, Wei-Lun Sun, Yaw-Hwang Chen, Cher-Shiung Tsai, and Cheng-Chi Tai, | Design and Analysis of Frequency Divider Using Negative Differential Resistance Device | 是 | 第一順位 | 書面發表 | International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) | |
91 | 096 | 1 | 2007 | 11 | 陳奕璋、林俊良、甘廣宙、蔡淑儀 | 摻雜鋰以退火製程製作正型氧化鋅薄膜 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2007台灣光電科技研討會 | |
92 | 096 | 1 | 2007 | 11 | 林昱綸、甘廣宙、林俊良、謝博旬 | 二氧化鈦薄膜於熱處理後的結構特性分析 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2007台灣光電科技研討會 | |
93 | 096 | 1 | 2007 | 11 | 王敬舜、甘廣宙、陳耀煌 | 新型差動比較器設計 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | UHC2007全國優質家庭學術研討會 | |
94 | 096 | 1 | 2007 | 11 | 蔡澈雄、張建鏵、江淑音、郭銘遠、甘廣宙、張培華 | 以Bi-CMOS差動放大器為設計基礎之壓控振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | UHC2007全國優質家庭學術研討會 | |
95 | 096 | 1 | 2007 | 11 | 林俊良、甘廣宙、陳奕璋、蔡淑儀 | 以退火製程製作鋰摻雜正型氧化鋅薄膜 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 中國材料科學學會2007年年會 | |
96 | 096 | 1 | 2007 | 11 | 甘廣宙、林俊良、林昱綸、蔡淑儀 | 以溶膠凝膠法製備鐵摻雜之二氧化鈦薄膜 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2007中國材料科學學會年會 | |
97 | 096 | 1 | 2007 | 12 | Kwang-Jow Gan, Yi-Jhih Lin, Yaw-Hwang Chen, Cher-Shiung Tsai, and Pei-Hua Chang | Design of NDR-Based Multiple-Valued Multiplexer Using Standard SiGe Process | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2007 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC) | |
98 | 096 | 1 | 2007 | 12 | Cher-Shiung Tsai, Ming-Hsin Lin, Chien-Hua Chang, Shu-Yin Jiang, Ming-Yuan Guo, Kwang-Jow Gan, ,Dong-Shong Liang, Pei-Hua Chang and Yaw-Hwang Chen | Wide Band Oscillator Design Based on Bi-CMOS Active Load Differential Amplifier | 是 | 其他 | 書面發表 | 2007 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC 2007) | |
99 | 096 | 1 | 2007 | 12 | Cher-Shiung Tsai, Ming-Yuan Guo, Chien-Hua Chang, Shu-Yin Jiang, Ming-Hsin Lin, Kwang-Jow Gan, Pei-Hua Chang, Dong-Shong Liang and Yaw-Hwang Chen | A VHF Oscillator Design Based on BJT Active Load Differential Amplifier | 是 | 其他 | 書面發表 | 2007 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC 2007) | |
100 | 096 | 1 | 2007 | 12 | Shih-Hao Liou, Kwang-Jow Gan, Yaw-Hwang Chen, and Cher-Shiung Tsai | Frequency Multiplier Design Based on Series-Connected Multiple-Peak MOS-HBT-NDR Circuit | 是 | 第二順位 | 書面發表 | The 5th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology | |
101 | 095 | 2 | 2007 | 3 | 林明信、蔡澈雄、甘廣宙、張培華、陳炳沅 | 以Bi-COMS疊串主動負載差動放大器為設計基礎的振盪器之模擬 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2007智慧型系統工程應用研討會 | |
102 | 095 | 2 | 2007 | 5 | 林奕志、甘廣宙、陳耀煌、蔡澈雄、張培華 | 以MOS-HBT-NDR元件設計可選擇之多值記憶器 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第五屆微電子技術發展與應用研討會 | |
103 | 095 | 2 | 2007 | 5 | 王敬舜、甘廣宙、陳耀煌、蔡澈雄、梁東雄 | 除頻器的設計 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第五屆微電子技術發展與應用研討會 | |
104 | 095 | 2 | 2007 | 5 | 林明信、蔡澈雄、甘廣宙、陳耀煌、張培華、陳炳元 | 以Bi-COMS主動負載差動放大器為設計基礎的UHF壓控振盪器之模擬 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 第五屆微電子技術發展與應用研討會 | |
105 | 095 | 2 | 2007 | 6 | 林明信、蔡澈雄、甘廣宙、梁東雄、張台雄 | 以Bi-CMOS疊串主動負載差動放大器為設計基礎的UHF壓控振盪器之模擬 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2007年現代電機科技研討會 | |
106 | 095 | 2 | 2007 | 6 | 洪士勛、甘廣宙、陳耀煌、蔡澈雄8。 | N型HBT-NDR元件在邏輯電路的應用 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2007年現代電機科技研討會 | |
107 | 095 | 2 | 2007 | 6 | 劉士豪、甘廣宙、蔡澈雄、陳耀煌 | 將Λ型MOS-HBT-NDR電路應用在多功能邏輯閘電路設計 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第二屆智慧生活科技研討會 | |
108 | 095 | 2 | 2007 | 6 | 洪士勛、陳耀煌、甘廣宙、蔡澈雄 | N型HBT-NDR元件在除頻器的應用 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 第二屆智慧生活科技研討會 | |
109 | 095 | 2 | 2007 | 7 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, Chun-Ming Wen, Yi-Zhi Lin, and Te-Chia Chang | Design of Four-Valued Memory Using Three-Peak MOS-HBT-NDR Circuits | 是 | 第一順位 | 書面發表 | The Fifth IASTED International Conference on Circuits | |
110 | 095 | 2 | 2007 | 7 | Kwang-Jow Gan*, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, Yi-Jhih Lin, Yaw-Hwang Chen,Te-Chia Chang, and Wein-So Wang | Novel Multiple-Valued Memory Design by Standard SiGe Process | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 4th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2007) | |
111 | 095 | 2 | 2007 | 7 | Dong-Shong Liang, Kwang-Jow Gan*, Cher-Shiung Tsai, Te-Chia Chang, and Yi-Jhih Lin | New Negative Differential Resistance Device Design Suitable for Standard SiGe BiCMOS Nano-Technique | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 4th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2007) | |
112 | 096 | 1 | 2007 | 9 | 劉士豪、甘廣宙、陳耀煌、蔡澈雄 | 以MOBILE反相器為基礎應用於新型邏輯閘電路設計 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2007系統雛形與電路設計創新應用研討會 | |
113 | 096 | 1 | 2007 | 9 | Cher-Shiung Tsai, Shu-Yin Jiang, Ming-Yuan Guo, Kwang-Jow Gan and Pei-Hua Chang | A VHF Oscillator Design Based on BJT Cascode Active Load Differential Amplifier | 是 | 其他 | 書面發表 | 2007系統雛形與電路設計創新應用研討會 | |
114 | 096 | 2 | 2008 | 1 | Dong-Shong Liang, and Kwang-Jow Gan | New D-Type Flip-Flop Design Using Negative Differential Resistance Circuits | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 4th IEEE International Symposium on Electronic Design, Test & Applications (2008 DELTA | |
115 | 097 | 1 | 2008 | 10 | 張志祥、甘廣宙、林俊良、呂正中、張特嘉 | 觸媒層退火對奈米碳管成長之影響 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008先進奈米材料應用研討會 | |
116 | 097 | 1 | 2008 | 10 | 徐榮利、林俊良、甘廣宙、陳國哲 | 探討退火對鎵鋅氧化物薄膜影響之特性分析 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2008先進奈米材料應用研討會 | |
117 | 097 | 1 | 2008 | 10 | 張特嘉、甘廣宙、呂正中 | 奈米級高效能防水紙板 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008先進奈米材料應用研討會 | |
118 | 097 | 1 | 2008 | 10 | 籃耿晃、甘廣宙、蔡澈雄、陳耀煌、張培華 | The MOS-HBT-NDR multiplexer and decoder realized by TSMC 0.18 process | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008 Conference on Innovative Applications of System Prototyping and Circuit Design | |
119 | 097 | 1 | 2008 | 11 | 張志祥、甘廣宙、林俊良、呂正中、張特嘉 | 金屬觸媒退火溫度對奈米碳管成長特性之影響 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 中國材料科學學會2008年年會 | |
120 | 097 | 1 | 2008 | 11 | 徐榮利、林俊良、甘廣宙、陳國哲 | 鎵鋅氧化物薄膜退火之特性分析 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 中國材料科學學會2008年年會 | |
121 | 097 | 1 | 2008 | 11 | J. S. Chang, K. J. Gan, C. L. Lin, and J. J. Lu | Investigation catalyst of the growth quality for carbon nanotube | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008 IEEE International Workshop on Next Generation Electronics (IWNE) | |
122 | 097 | 1 | 2008 | 11 | J. L. Hsu, C. C. Lin, K. J. Gan, and S. Y. Tsai | Microstructural and surface morphology of GZO films deposited by sputtering | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2008 IEEE International Workshop on Next Generation Electronics (IWNE) | |
123 | 097 | 1 | 2008 | 11 | G. H. Lan, K. J. Gan, C. S. Tsai, P. H. Chang, D. S. Liang and Y. H. Chen | Multiple-Valued Memory Cell Design Based on Lamda Type MOS-HBT-NDR Circuits | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008 IEEE International Workshop on Next Generation Electronics (IWNE) | |
124 | 097 | 1 | 2008 | 11 | Y. K. LI , K. J. Gan, C. S. Tsai, P. H. Chang and Y. H. Chen | Achieve a New Type Frequency Divider Circuit and Application By MOS-HBT-NDR | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008 IEEE International Workshop on Next Generation Electronics (IWNE) | |
125 | 097 | 1 | 2008 | 11 | Y. W. Chen, K. J. Gan, C. S. Tsai, D. S. Liang and Y. H. Chen | Analysis of Multi-Peak Memory Circuit Using Resistor as Load | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008 IEEE International Workshop on Next Generation Electronics (IWNE) | |
126 | 097 | 1 | 2008 | 11 | Cher-Shiung Tsai, Ming-Hsin Lin, Ping-Feng Wu, Chang-Yu Li, Yu-Nan Yeh, Wu-Yan Sie, Kwang-Jow Gan, Pei-Hua Chang, Dong-Shong Liang, Jin-Wei Wu and Chia-Hsiang Chang | An Oscillator Design Based on Bi-CMOS Differential Amplifier Using Standard SiGe Process | 是 | 其他 | 書面發表 | 2008 IEEE International Workshop on Next Generation Electronics (IWNE) | |
127 | 096 | 2 | 2008 | 5 | 王丞軒、甘廣宙、陳耀煌 | 新型除頻器的設計 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
128 | 096 | 2 | 2008 | 5 | 籃耿晃、甘廣宙、蔡澈雄、陳耀煌、張培華 | 具有可多重選擇之多值記憶電路設計 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
129 | 096 | 2 | 2008 | 5 | 陳奕璋、林俊良、甘廣宙、徐榮利、張特嘉 | 銦鋅氧化物薄膜特性分析及其應用於LED元件 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 第六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
130 | 096 | 2 | 2008 | 5 | 江淑音、蔡澈雄、張建鏵、郭銘遠、林明信、甘廣宙、張培華、梁東雄、陳耀煌、陳炳沅 | 以Bi-CMOS疊串主動負載差動放大器為設計基礎之壓控振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | 第六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
131 | 096 | 2 | 2008 | 5 | Dong-Shong Liang, Cheng-Chi Tai, Kwang-Jow Gan, Yi-Zhi Lin, | Selectively Multiple-Valued Memory Design Using Negative Differential Resistance Circuits Implemented by Standard SiGe Bi CMOS Process | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2008 International Conference on Communications,Circuits and Systems | |
132 | 096 | 2 | 2008 | 6 | 張志祥、甘廣宙、林俊良、呂正中、張特嘉 | 觸媒退火溫度對奈米碳管品質影響之研究 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008電子工程技術研討會 | |
133 | 096 | 2 | 2008 | 6 | 林昱綸、甘廣宙、林俊良、呂正中、張特嘉 | TiO2薄膜電極之鐵摻雜製程對染料敏化太陽電池特性之影響 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2008電子工程技術研討會 | |
134 | 096 | 2 | 2008 | 6 | 林明信、蔡澈雄、甘廣宙 | 以Bi-CMOS主動負載差動放大器為設計基礎的UHF鎖相迴路之模擬 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 第三屆智慧生活科技研討會 | |
135 | 096 | 2 | 2008 | 7 | Kwang-Jow Gan, Te-Chia Chang, Cheng-Syuan Wang, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, Wein-So Wang | Frequency Divider Design Using Novel BiCMOS-Based Negative Differential Resistance Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2008 Asia-Pacific Chinese Conference on High-Speed Circiut Design (HSCD′08) | |
136 | 097 | 1 | 2008 | 8 | Dong-Shong Liang, Cheng-Chi Tai, and Kwang-Jow Gan | Aanlysis of Frequency Divider Using Negative Differential Resistance Circuit | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2008 The IASTED International Conference on Circuits and Systems | |
137 | 098 | 1 | 2009 | 11 | W.K. Yeh, C. C. Wang, C. W. Hsu, Y.K. Fang, S. M. We, C. C. Ou, C. L. Lin, K. J. Gan, C. J. Weng, P. Y. Chen, J. S. Yuan, and J. J. Liou | Impact of Oxide Trap Charge on Performance of Strained Fully Depleted SOl Metal-Gate MOSFET | 是 | 其他 | 書面發表 | 2009 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC 2009) | |
138 | 098 | 1 | 2009 | 11 | 甘廣宙、謝易宏、林俊良 | 以溶膠-凝膠法製備二氧化鈦薄膜 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 九十八年中國材料科學學會年會 | |
139 | 098 | 1 | 2009 | 11 | 林俊良、林伯昇、甘廣宙 | 探討氧化鋅晶種層退火溫度對成長氧化鋅奈米柱之影響 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 九十八年中國材料科學學會年會 | |
140 | 098 | 1 | 2009 | 11 | 洪家偉、甘廣宙、陳耀煌、林俊良、張志祥 | 奈米碳管應用於高功率LED散熱研究 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 九十八年中國材料科學學會年會 | |
141 | 098 | 1 | 2009 | 11 | 陳冠宇、甘廣宙、蔡澈雄 | 以Λ型HBT-MOS-NDR元件設計具高除頻因素之除頻器 | 是 | 第二順位 | 口頭發表 | UHC2009優質家庭生活科技之關鍵技術研討會 | |
142 | 098 | 1 | 2009 | 11 | 謝武諺、吳炳鋒、葉育男、蔡澈雄、甘廣宙 | 以0.18-μm 製程模擬寬調頻MOS 疊串主動負載放大器為設計基礎之壓控振盪器 | 是 | 其他 | 口頭發表 | UHC2009 全國優質家庭學術研討會 | |
143 | 098 | 1 | 2009 | 11 | 陳冠宇、甘廣宙、蔡澈雄 | 實現高除頻因素之MOS-HBT-NDR 除頻器 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2009年民生電子研討會 | |
144 | 098 | 1 | 2009 | 12 | Cher-Shiung Tsai, Ming-Hsin Lin, Ping-Feng Wu, Wu-Yan Sie, Yu-Nan Yeh, Chang-Yu Li, Wei-cheng Liu, Hsiang-Tse Cheng, Chun-Yi Yeh, Kwang-Jow Gan, Pei-Hua Chang, and Chia-Hsiang Chang | An Oscillator Design Based on Bi-CMOS Cascoded Active LoadDifferential Amplifier Using Standard 0.35μm SiGe Process | 是 | 其他 | 書面發表 | 2009 National Symposium on Telecommunications | |
145 | 098 | 1 | 2009 | 12 | 吳炳鋒、謝武諺、李彰育、葉俊逸、蔡澈雄、甘廣宙、張培華 | 以0.18-μm 製程模擬寬調頻Bi-CMOS 主動負載差動放大器為設計基礎之壓控振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | 2009 National Symposium on Telecommunications | |
146 | 097 | 2 | 2009 | 2 | Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen, and Cheng-Chi Tai | Frequency Divider Design Using the Combination of Transistors and Passive Devices | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2009 13th International Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics and the Canadian Radio Sciences Meeting, Banff conference centre | |
147 | 097 | 2 | 2009 | 3 | 張特嘉、甘廣宙 | 奈米級高效能防水紙板 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2009 第二屆積體光機電科技應用與發展學術會議 | |
148 | 097 | 2 | 2009 | 4 | Dong-Shong Liang, Kwang-Jow Gan,*, Jenq-Jong Lu, Cheng-Chi Tai, Cher-Shiung Tsai, Geng-Huang Lan, and Yaw-Hwang Chen, | Multiple-Valued Memory Design by Standard BiCMOS Technique | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2009 World Congress on Computer Science and Information Engineering | |
149 | 097 | 2 | 2009 | 6 | Chih-Hsiang Chang, Kwang-Jow Gan, Chun-Liang Lin, and Jeng-Jong Lu | The Thermal Dissipation Study of Carbon Nanotubes uesd in High Power LED | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2009 International Conference on Materials for Advanced Technologies | |
150 | 097 | 2 | 2009 | 6 | 張志祥、甘廣宙、林俊良、洪家偉,黎曜華 | Ni/Co合金觸媒成長奈米碳管之研究 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 電子工程技術研討會 | |
151 | 097 | 2 | 2009 | 6 | 陳冠宇、甘廣宙、張培華、陳耀煌 | 新型MOS-NDR元件應用於除頻器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第四屆智慧生活科技研討會 | |
152 | 097 | 2 | 2009 | 6 | 陳彥汶、甘廣宙、陳耀煌、梁東雄 | 以標準矽鍺製程設計多值記憶器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第四屆智慧生活科技研討會 | |
153 | 097 | 2 | 2009 | 6 | 李昱寬、甘廣宙、蔡澈雄、陳耀煌 | 以MOBILE理論應用於新型反相器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第四屆智慧生活科技研討會 | |
154 | 098 | 1 | 2009 | 8 | 陳彥汶、甘廣宙、蔡澈雄 | 以具有高峰值與谷值電流比之多值記憶器電路設計與應用 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2009第三屆積體光機電科技應用與發展學術會議 | |
155 | 098 | 1 | 2009 | 8 | 張家祥、蔡澈雄、甘廣宙 | 以0.18-μm製程模擬Bi-CMOS主動負載差動放大器 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2009第三屆積體光機電科技應用與發展學術會議 | |
156 | 098 | 1 | 2009 | 8 | 王士瑋、甘廣宙、張培華 | 以隔絕外來光源種植方式使用LED培育植物之研究 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2009第三屆積體光機電科技應用與發展學術會議 | |
157 | 098 | 1 | 2009 | 8 | 陳冠宇、甘廣宙、蔡澈雄 | 以HBT-MOS-NDR元件設計具高除頻因素之除頻器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2009第三屆積體光機電科技應用與發展學術會議 | |
158 | 099 | 1 | 2010 | 11 | B.-J. Li , C.-H Chang, Y.-K. Su , K.-J. Gan, and J.-W. Hong | Thermal Dissipation of High Brightness Light Emitting Diode by using Multi-walled Carbon Nanotube/SiC Composites | 是 | 其他 | 書面發表 | 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference | |
159 | 099 | 1 | 2010 | 11 | B.-J. Li, C.-H Chang, Y.-K. Su, K.-J. Gan, and J.-W. Hong | Application of Multi-Wall Carbon Nanotube/SiC Composite to Thermal Dissipation of High-Bright Light Emitting Diode | 是 | 其他 | 書面發表 | International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE) | |
160 | 099 | 1 | 2010 | 11 | 甘廣宙、郭順和、林俊良 | 電泳官能基奈米碳管於高功率LED之散熱研究 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 九十九年中國材料科學學會年會 | |
161 | 099 | 1 | 2010 | 11 | 甘廣宙、林俊良、蔡佳憲、林伯昇 | 以低溫水溶液法合成之氧化鋅奈米柱特性分析 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 九十九年中國材料科學學會年會 | |
162 | 099 | 1 | 2010 | 11 | 鍾政全、許祐端、侯佑民、李文凱、蔡澈雄、甘廣宙、黃耿凌 | 以0.18-μm 製程模擬電流源控制五級環型壓控振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | UHC2010 全國優質家庭學術研討會 | |
163 | 099 | 1 | 2010 | 11 | 侯佑民、李文凱、黃柏穎、陳緯峰、蔡澈雄、甘廣宙、張培華、黃憲章 | 以0.18-μm 製程模擬三級自我穩壓環型振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | UHC2010 全國優質家庭學術研討會 | |
164 | 099 | 1 | 2010 | 11 | 張冠程、李銘偉、高振凱、張邳鈞、蔡澈雄、甘廣宙、張培華 | 以0.18-μm 製程模擬二級差動延遲環型壓控振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | UHC2010 全國優質家庭學術研討會 | |
165 | 099 | 1 | 2010 | 11 | 陳緯峰、黃柏穎、曾世鎰、侯政豪、蔡澈雄、甘廣宙、黃耿凌 | 以0.18-μm 製程模擬五級含次回授環形振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | UHC2010 全國優質家庭學術研討會 | |
166 | 099 | 1 | 2010 | 11 | 高振凱、張邳鈞、張冠程、李銘偉、蔡澈雄、甘廣宙、張培華、黃憲章 | 以0.18-μm 製程模擬負延遲壓控環形振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | UHC2010 全國優質家庭學術研討會 | |
167 | 099 | 1 | 2010 | 11 | 曾世鎰、侯政豪、許祐端、鍾政全、蔡澈雄、甘廣宙、黃憲章、張培華 | 以0.18-μm 製程模擬四級差動雙延遲環形壓控振盪器 | 是 | 其他 | 書面發表 | UHC2010 全國優質家庭學術研討會 | |
168 | 099 | 1 | 2010 | 12 | Kwang-Jow Gan*, Ping-Feng Wu, Wu-Yan Shie, Cher-Shiung Tsai, Dong-Shong Liang, Cheng-Hsiung Tsai, and Wen-Kuan Yeh | Frequency Multiplier Design Using BiCMOS-Based Multiple-Peak NDR Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2010 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits | |
169 | 098 | 2 | 2010 | 2 | 黎曜華、甘廣宙、林俊良、陳耀煌 | 利用熱處理混膠法製備奈米碳管/固晶膠之發光二極體應用 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2010中華民國物理年會暨成果發表會 | |
170 | 098 | 2 | 2010 | 2 | 謝易宏、甘廣宙、林俊良 | 以溶膠-凝膠法製備二氧化鈦薄膜 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2010中華民國物理年會暨成果發表會 | |
171 | 098 | 2 | 2010 | 2 | 林伯昇、林俊良、甘廣宙 | 氧化鋅奈米柱特性分析 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | 2010中華民國物理年會暨成果發表會 | |
172 | 098 | 2 | 2010 | 2 | Kwang-Jow Gan, Kuan-Yu Chun, and Dong-Shong Liang | Frequency Divider Design Using Negative Differential Resistance Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2010 Australian Communications Theory Workshop | |
173 | 098 | 2 | 2010 | 5 | 洪家偉、陳冠宇、甘廣宙、林俊良、呂懷恩 | 碳化矽應用於高功率發光二極體固晶散熱研究 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | GTEA2010綠色科技工程與應用研討會 | |
174 | 098 | 2 | 2010 | 5 | 陳冠宇、甘廣宙、蔡澈雄 | 串聯式HBT-MOS-NDR除頻器電路 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 2010第四屆積體光機電科技與智慧產權實務會議 | |
175 | 098 | 2 | 2010 | 6 | 王士瑋、甘廣宙、張培華、蔡澈雄 | 使用於植物培育之遙控式自動調光LED模組之研究 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第五屆智慧生活科技研討會 | |
176 | 099 | 1 | 2010 | 8 | Kwang-Jow Gan, Kuan-Yu Chun, and Dong-Shong Liang | Frequency Divider Design Using Λ-Type Negative Differential Resistance Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems | |
177 | 099 | 1 | 2010 | 9 | 洪家偉、甘廣宙、林俊良、張志祥、黃桓俞 | 奈米碳管摻雜於碳化矽中並應用於高功率發光二極體固晶散熱研究 | 是 | 第二順位 | 書面發表 | 第十四屆奈米工程暨微系統技術研討會 | |
178 | 100 | 1 | 2011 | 10 | 張煌輝、曾世鎰、黃建宏、江正傑、夏松義、蔡澈雄、甘廣宙、張培華 | 四級差動雙延遲環形壓控振盪器有無負迴授電路之比較 | 否 | 其他 | 口頭發表 | UHC2011全國優質家庭學術研討會 | |
179 | 100 | 1 | 2011 | 10 | 張煌輝、曾世鎰、江正傑、夏松義、黃建宏、蔡澈雄、甘廣宙、張培華 | 以0.18-μm 製程實現四級差動雙延遲無迴授環形壓控震盪器 | 否 | 其他 | 口頭發表 | UHC2011全國優質家庭學術研討會 | |
180 | 100 | 1 | 2011 | 12 | 蔡佳憲、甘廣宙、林俊良 | 以水熱法製備二氧化鈦奈米柱之染料敏化太陽能電池 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2011光電工程研討會 | |
181 | 100 | 1 | 2011 | 12 | 譚文傑、甘廣宙、林俊良、郭順和 | 以 PE-CVD 在陽極氧化鋁上成長奈米碳管 | 否 | 第二順位 | 口頭發表 | 2011光電工程研討會 | |
182 | 099 | 2 | 2011 | 5 | 吳炳鋒、甘廣宙、蔡澈雄、連映琦、黃喬楷、張峻豪、周芳瑜、黃鴻智、陳世哲、蔡澄雄 | 以MOS-HBT-NDR電路實現新型且具高除頻因子之除頻器電路 | 是 | 第二順位 | 壁報發表 | 2011 第九屆微電子技術發展與應用研討會 | |
183 | 099 | 2 | 2011 | 5 | 連映琦、周芳瑜、甘廣宙、吳炳鋒 | 以N型MOS-NDR電路實現類比除頻器 | 是 | 第三順位 | 壁報發表 | 2011電子通訊與應用研討會 | |
184 | 099 | 2 | 2011 | 6 | 黃喬楷、黃鴻智、甘廣宙、張峻豪、周芳瑜、吳炳鋒 | 以BJT-MOS-NDR 電路設計類比除頻器 | 是 | 第三順位 | 口頭發表 | 第六屆智慧生活科技研討會 | |
185 | 099 | 2 | 2011 | 6 | 吳炳鋒、甘廣宙、蔡澈雄、連映琦、章定遠、蔡澄雄 | 以CMOS製程設計具有連續除頻效果之除頻器 | 是 | 第二順位 | 口頭發表 | 第六屆智慧生活科技研討會 | |
186 | 099 | 2 | 2011 | 6 | 陳世哲、張峻豪、連映琦、黃喬楷、甘廣宙、吳炳鋒 | 以標準矽製程設計新型多值記憶器電路 | 是 | 其他 | 壁報發表 | 第六屆智慧生活科技研討會 | |
187 | 099 | 2 | 2011 | 6 | Y. H. Li, K. J. Gan and Y. H. Chen | Method for Fast Dispersing Carbon Nanotube–epoxy Composites for LED Application | 是 | 第二順位 | 書面發表 | International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT) | |
188 | 099 | 2 | 2011 | 6 | M. Y. Chen, K. J. Gan, C. L. Lin, C. R. Li | Investigation of Thermal Dissipation of the High-Power Light Emitting Diode Using the Epoxy Combined with Nano-Scale Diamond Particles | 是 | 第二順位 | 書面發表 | International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT) | |
189 | 099 | 2 | 2011 | 7 | K. J. Gan*, C. H. Chang, J. J. Lu, C. L. Lin, Y. K. Su, B. J. Li, and W. K. Yeh | Growth of Carbon Nanotube Using Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition and Its Application to Thermal Dissipation of High-Brightness Light Emitting Diode | 是 | 第一順位 | 書面發表 | The 2011 International Conference of Electrical and Electronics Engineering | |
190 | 101 | 1 | 2012 | 10 | 沈信穎、蔡澈雄、甘廣宙、曾世維 | 以NMOS-PNP主動負載差動放大器為設計基礎的UHF鎖相迴路之模擬 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | UHC2012國優質家庭學術研討會 | |
191 | 101 | 1 | 2012 | 10 | 黃建雄, 甘廣宙, 章定遠, 蔡澈雄, 高振凱, 江正傑 | 以MOBILE理論應用於多重臨限之臨限邏輯閘之設計 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 第六屆優質家庭生活研討會(UHC2012) | |
192 | 101 | 1 | 2012 | 10 | 黃俊瑋、粘宇夆、董晏辰、蔡澈雄、甘廣宙、黃憲章 | 以0.18-μm 製程模擬CMOS 主動負載差動放大器之壓控振盪器 | 否 | 其他 | 書面發表 | UHC2012全國優質家庭學術研討會 | 崑山科技大學 |
193 | 101 | 1 | 2012 | 10 | 沈信穎、蔡澈雄、甘廣宙、曾世維 | 以NMOS-PNP主動負載差動放大器為設計基礎的UHF鎖相迴路之模擬 | 是 | 第三順位 | 書面發表 | UHC2012國優質家庭學術研討會 | |
194 | 101 | 1 | 2012 | 11 | Kwang-Jow Gan*, Zhen-Kai Kao, Din-Yuen Chan, Cher-Shiung Tsai and Jian-Syong Huang, | XOR and XNOR Logic Design Using CMOS-NDR Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | Internationl Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) 2012, | |
195 | 101 | 1 | 2012 | 11 | Kwang-Jow Gan*, Zhen-Kai Kao, Din-Yuen Chan, Cher-Shiung Tsai and Jian-Syong Huang, | XOR and XNOR Logic Design Using CMOS-NDR Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | Internationl Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) 2012, | |
196 | 101 | 1 | 2012 | 12 | Kwang-Jow Gan*, Zhen-Kai Kao, Cher-Shiung Tsai, Din-Yuen Chan, and Jian-Syong Huang, | Logic Circuit Design Based on Series-Connected CMOS-NDR Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 5th International Conference on Computer Science and Information Technology (ICCSIT 2012) | |
197 | 101 | 1 | 2012 | 12 | 陳柏超、譚文傑、甘廣宙、林俊良、陳耀煌 | 以陽極氧化鋁奈米模板輔助成長奈米碳管及應用於發光二極體之熱傳導研究 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | OPTIC2012台灣光電科技研討會暨國科會光電學門成果發表會 | |
198 | 101 | 1 | 2012 | 12 | 陳柏超、譚文傑、甘廣宙、林俊良、陳耀煌 | 以陽極氧化鋁奈米模板輔助成長奈米碳管及應用於發光二極體之熱傳導研究 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | OPTIC2012台灣光電科技研討會暨國科會光電學門成果發表會 | |
199 | 100 | 2 | 2012 | 3 | Kwang-Jow Gan*, Ping-Feng Wu, Din-Yuen Chan, Cher-Shiung Tsai, Zhen-Kai Kao, and Jian-Syong Huang | Frequency Divider Design Using CMOS-NDR-Based Chaos Circuit | 是 | 第一順位 | 壁報發表 | International MultiConference of Engineers and Computer Scientists | |
200 | 100 | 2 | 2012 | 6 | 甘廣宙、章定遠、蘇新証、詹宗杰、黃建雄、高振凱 | 以CMOS製程設計單穩態雙穩態傳輸邏輯閘電路 | 否 | 第一順位 | 壁報發表 | 2012第七屆智慧生活科技研討會 | |
201 | 100 | 2 | 2012 | 6 | 甘廣宙、章定遠、黃建雄、高振凱、蘇新証、詹宗杰 | 以MOS-BJT-NDR元件應用於壓控震盪器設計 | 是 | 第一順位 | 壁報發表 | 2012第七屆智慧生活科技研討會 | |
202 | 100 | 2 | 2012 | 6 | 楊陳岳、陳潤生、甘廣宙、章定遠、蔡澈雄、高振凱、黃建雄 | 以CMOS製程設計單穩態-雙穩態傳輸邏輯閘電路 | 否 | 第三順位 | 壁報發表 | 2012電子工程技術研討會(ETS2012) | |
203 | 100 | 2 | 2012 | 6 | 高振凱、甘廣宙、章定遠、蔡澈雄、黃建雄、陳潤生、楊陳岳 | 以MOS-BJT-NDR 電路及CMOS 製程設計單穩態-雙穩態傳輸邏輯閘電路 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2012電子工程技術研討會(ETS2012) | |
204 | 100 | 2 | 2012 | 6 | 孫士元、鄭詠霖、甘廣宙、詹宗杰、蘇新証 | 高頻除頻器之電路設計 | 否 | 第三順位 | 壁報發表 | 2012電子工程技術研討會(ETS2012) | |
205 | 100 | 2 | 2012 | 6 | 吳炳鋒、甘廣宙、章定遠、高振凱、黃健雄、孫士元、鄭詠霖、蔡澄雄 | 具混沌現象之除頻器電路設計 | 否 | 第二順位 | 口頭發表 | 2012電子工程技術研討會(ETS2012) | |
206 | 102 | 1 | 2013 | 11 | 黃建雄、甘廣宙、高振凱、章定遠、蔡澄雄、王文壽, | 具多重臨限之臨限邏輯閘之設計 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2013光電與通訊工程應用研討會 | |
207 | 102 | 1 | 2013 | 11 | 黃建雄、甘廣宙、高振凱、章定遠、蔡澄雄、王文壽, | 具多重臨限之臨限邏輯閘之設計 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2013光電與通訊工程應用研討會 | |
208 | 101 | 2 | 2013 | 2 | Kwang-Jow Gan*, Zheng-Jie Jiang, Din-Yuen Chan, Cher-Shiung Tsai, Jian-Syong Huang, Zhen-Kai Kao, | Design and Application of Van Der Pol Oscillator Using NDR Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | IEEE International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE), | I-Shou University, |
209 | 101 | 2 | 2013 | 2 | Kwang-Jow Gan*, Zheng-Jie Jiang, Din-Yuen Chan, Cher-Shiung Tsai, Jian-Syong Huang, Zhen-Kai Kao, | Design and Application of Van Der Pol Oscillator Using NDR Circuit | 是 | 第一順位 | 書面發表 | IEEE International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE), | |
210 | 101 | 2 | 2013 | 3 | Kwang-Jow Gan*, Zheng-Jie Jiang, Cher-Shiung Tsai, Din-Yuen Chan, Jian-Syong Huang, Zhen-Kai Kao, | Design of NDR-Based Oscillators Suitable for the Nano-Based BiCMOS Technique | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2nd International Conference on Computational and Theoretical Nanoscience (ICCTN 2013) | |
211 | 101 | 2 | 2013 | 5 | 甘廣宙、林珈安、郭俊邑、黃建雄、高振凱、江正傑, | 以差動電路實現環型壓控震盪器設計 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2013電子工程技術研討會 | |
212 | 101 | 2 | 2013 | 5 | 甘廣宙、陳思涵、黃冠淳、高振凱、黃建雄、江正傑, | 以NDR元件實現D型正反器之設計 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2013電子工程技術研討會 | |
213 | 101 | 2 | 2013 | 5 | 吳東翰、廖昱翔、甘廣宙、江正傑、黃建雄、高振凱, | 以主動負載之壓控振盪器設計 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | 2013電子工程技術研討會 | |
214 | 101 | 2 | 2013 | 5 | 甘廣宙、林珈安、郭俊邑、黃建雄、高振凱、江正傑, | 以差動電路實現環型壓控震盪器設計 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2013電子工程技術研討會 | |
215 | 101 | 2 | 2013 | 5 | 甘廣宙、陳思涵、黃冠淳、高振凱、黃建雄、江正傑, | 以NDR元件實現D型正反器之設計 | 是 | 第一順位 | 書面發表 | 2013電子工程技術研討會 | |
216 | 101 | 2 | 2013 | 5 | 吳東翰、廖昱翔、甘廣宙、江正傑、黃建雄、高振凱, | 以主動負載之壓控振盪器設計 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | 2013電子工程技術研討會 | |
217 | 101 | 2 | 2013 | 6 | 王凱幼、陳家凱、廖韋凱、鄒宜峰、許嘉仁、蔡澈雄、甘廣宙、張培華, | 以0.18-μm製程模擬PMOS-NPN差動放大器之壓控振盪器 | 否 | 其他 | 書面發表 | 2013第十一屆討會微電子技術發展與應用研討會 | |
218 | 101 | 2 | 2013 | 6 | 李佩欣、林泉福、蔡澈雄、甘廣宙, | 以PMOS-NPN主動負載差動放大器為設計基礎的UHF鎖相迴路之模擬 | 否 | 其他 | 書面發表 | 2013第十一屆討會微電子技術發展與應用研討會 | |
219 | 101 | 2 | 2013 | 6 | 王凱幼、陳家凱、廖韋凱、鄒宜峰、許嘉仁、蔡澈雄、甘廣宙、張培華, | 以0.18-μm製程模擬PMOS-NPN差動放大器之壓控振盪器 | 否 | 其他 | 書面發表 | 2013第十一屆討會微電子技術發展與應用研討會 | |
220 | 101 | 2 | 2013 | 6 | 李佩欣、林泉福、蔡澈雄、甘廣宙, | 以PMOS-NPN主動負載差動放大器為設計基礎的UHF鎖相迴路之模擬 | 否 | 其他 | 書面發表 | 2013第十一屆討會微電子技術發展與應用研討會 | |
221 | 102 | 2 | 2014 | 5 | 陳俊仁、游乃華、甘廣宙、蔡澈雄、黃建雄、高振凱、江正傑, | 具多重臨限之臨限邏輯閘之設計 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | 2014電子、信號、與通訊創新科技研討會 | |
222 | 102 | 2 | 2014 | 5 | 劉奕廷、唐維廷、甘廣宙、蔡澄雄、黃建雄、高振凱、江正傑, | 以MOBILE理論實現多函數邏輯閘 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | 2014電子、信號、與通訊創新科技研討會 | |
223 | 102 | 2 | 2014 | 5 | 蔡孟剛、黃孝生、甘廣宙、蔡澄雄、高振凱、黃建雄、江正傑, | 新型全加法器電路設計及其應用 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | 2014電子、信號、與通訊創新科技研討會 | |
224 | 102 | 2 | 2014 | 5 | 江正傑、甘廣宙、陳耀煌、蔡澈雄、高振凱、黃建雄, | 以NDR電路為基礎設計一振盪器電路 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2014電子、信號、與通訊創新科技研討會 | |
225 | 102 | 2 | 2014 | 5 | 陳俊仁、游乃華、甘廣宙、蔡澈雄、黃建雄、高振凱、江正傑, | 具多重臨限之臨限邏輯閘之設計 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | 2014電子、信號、與通訊創新科技研討會 | |
226 | 102 | 2 | 2014 | 5 | 蔡孟剛、黃孝生、甘廣宙、蔡澄雄、高振凱、黃建雄、江正傑, | 新型全加法器電路設計及其應用 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | 2014電子、信號、與通訊創新科技研討會 | |
227 | 102 | 2 | 2014 | 5 | 劉奕廷、唐維廷、甘廣宙、蔡澄雄、黃建雄、高振凱、江正傑, | 以MOBILE理論實現多函數邏輯閘 | 否 | 第三順位 | 書面發表 | 2014電子、信號、與通訊創新科技研討會 | |
228 | 102 | 2 | 2014 | 5 | 江正傑、甘廣宙、陳耀煌、蔡澈雄、高振凱、黃建雄, | 以NDR電路為基礎設計一振盪器電路 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2014電子、信號、與通訊創新科技研討會 | |
229 | 104 | 1 | 2015 | 11 | 甘廣宙、張哲維、洪佳偉、王文壽, | 具人機介面控制之小型LED植物培育系統 | 是 | 第一順位 | 口頭發表 | 2015光電與通訊工程應用研討會 | |
230 | 104 | 1 | 2015 | 11 | Kwang-Jow Gan, Che-Wei Chang, Zhen-Kai Kao, and Wein-So Wang, | Design of Muller C-element Using MOS-HBT-NDR Circuits | 是 | 第一順位 | 壁報發表 | 2015 International Electron Devices and Materials Symposium (2015 IEDMS), | |
231 | 104 | 1 | 2015 | 11 | Kwang-Jow Gan, Chun-I Guo, and Yaw-Hwang Chen, | Design of Multi-threshold Threshold Logic Based on MOBILE Theory | 是 | 第一順位 | 口頭發表 | 2015 International Electron Devices and Materials Symposium (2015 IEDMS) | |
232 | 104 | 1 | 2015 | 11 | 甘廣宙、張哲維、洪佳偉、王文壽 | 具人機介面控制之小型LED植物培育系統 | 否 | 第一順位 | 書面發表 | 2015光電與通訊工程應用研討會 | |
233 | 104 | 1 | 2015 | 11 | Kwang-Jow Gan, Chun-I Guo, and Yaw-Hwang Chen | Design of Multi-threshold Threshold Logic Based on MOBILE Theory | 是 | 第一順位 | 口頭發表 | 2015 International Electron Devices and Materials Symposium (2015 IEDMS) | |
234 | 104 | 1 | 2015 | 11 | Kwang-Jow Gan, Che-Wei Chang, Zhen-Kai Kao, and Wein-So Wang | Design of Muller C-element Using MOS-HBT-NDR Circuits | 否 | 第一順位 | 壁報發表 | 2015 International Electron Devices and Materials Symposium (2015 IEDMS) | |
235 | 103 | 2 | 2015 | 7 | 楊義強、 甘廣宙、林士程、謝奇文, | 考慮RSSI穩定度與不準度的室內定位演算法 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2015年醫護與健康科技研討會 | |
236 | 103 | 2 | 2015 | 7 | 楊義強、 甘廣宙、林士程、謝奇文, | 考慮RSSI穩定度與不準度的室內定位演算法 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2015年醫護與健康科技研討會 | |
237 | 104 | 1 | 2016 | 1 | Yi-Ting Tzeng, Yu-Hsiang Liao, Jhen-Kai Huang, Kuan-Der Lee, Kwang-Jow Gan, Hsiao-Hsien Huang, Shih- | Moving Path Estimation of Patient Using Wi-Fi Positioning-A Preliminary Study | 否 | 其他 | 書面發表 | 2016 SEMBA (Symposium on Engineering, Medicine and Biology Applications, Chang Gung Health and Cultu | |
238 | 104 | 1 | 2016 | 1 | Yi-Ting Tzeng, Yu-Hsiang Liao, Jhen-Kai Huang, Kuan-Der Lee, Kwang-Jow Gan, Hsiao-Hsien Huang, Shih- | Moving Path Estimation of Patient Using Wi-Fi Positioning-A Preliminary Study | 是 | 第一順位 | 口頭發表 | 2016 SEMBA (Symposium on Engineering, Medicine and Biology Applications, Chang Gung Health and Cultu | |
239 | 105 | 1 | 2016 | 11 | 張哲維、甘廣宙、王文壽、蔡澄雄 | 以MOS-NDR電路設計乘法器電路 | 否 | 第二順位 | 口頭發表 | 2016光電與通訊工程應用研討會 | |
240 | 105 | 1 | 2016 | 11 | Che-Wei Chang, Kwang-Jow Gan, and Wein-So Wang | Design of Full Adder Using MOS-NDR Circuit | 是 | 第一順位 | 口頭發表 | 2016 International Electron Devices and Materials Symposium (2016 IEDMS), National Taiwan Normal Uni | |
241 | 105 | 1 | 2016 | 11 | Che-Wei Chang, Kwang-Jow Gan, and Wein-So Wang | Design of Full Adder Using MOS-NDR Circuit | 否 | 第二順位 | 口頭發表 | 2016 International Electron Devices and Materials Symposium (2016 IEDMS), National Taiwan Normal Uni | |
242 | 105 | 1 | 2016 | 11 | 張哲維、甘廣宙、王文壽、蔡澄雄 | 以MOS-NDR電路設計乘法器電路 | 否 | 第二順位 | 口頭發表 | 2016光電與通訊工程應用研討會 | |
243 | 106 | 1 | 2017 | 12 | 郭奕麟、甘廣宙 | 基於R-BJT-MOS-NDR元件所構成的蔡氏電路模擬與分析 | 否 | 第二順位 | 口頭發表 | 2018第十六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
244 | 106 | 1 | 2017 | 12 | 廖昱翔、甘廣宙、郭奕麟、葉瑋翔 | 2017以R-BJT-NDR電路構成蔡氏電路的模擬與分析 | 否 | 第一順位 | 壁報發表 | 2017光電與通訊工程應用研討會 | |
245 | 106 | 1 | 2017 | 12 | 廖昱翔、甘廣宙、郭奕麟、葉瑋翔 | 2017以R-BJT-NDR電路構成蔡氏電路的模擬與分析 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2017光電與通訊工程應用研討會 | |
246 | 107 | 1 | 2018 | 12 | 甘廣宙、吳念紋 | 以可自行組合I/O模組之系統整合提供漁業智慧型監控 | 否 | 第一順位 | 口頭發表 | 2018IMP國際資訊管理暨實務研討會 | |
247 | 107 | 1 | 2018 | 12 | 甘廣宙、吳念紋 | 以可自行組合I/O模組之系統整合提供漁業智慧型監控 | 否 | 第一順位 | 口頭發表 | 2018IMP國際資訊管理暨實務研討會 | |
248 | 106 | 2 | 2018 | 5 | 葉瑋翔、甘廣宙 | 以MOS-NDR搭配MOBILE理論設計三輸入之七種基本邏輯閘 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2018第十六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
249 | 106 | 2 | 2018 | 5 | 郭奕麟、甘廣宙 | 基於R-BJT-MOS-NDR元件所構成的蔡氏電路模擬與分析 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2018第十六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
250 | 106 | 2 | 2018 | 5 | 葉瑋翔、甘廣宙 | 以MOS-NDR搭配MOBILE理論設計三輸入之七種基本邏輯閘 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2018第十六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
251 | 106 | 2 | 2018 | 5 | 葉瑋翔、甘廣宙 | 以MOS-NDR搭配MOBILE理論設計三輸入之七種基本邏輯閘 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2018第十六屆微電子技術發展與應用研討會 | |
252 | 108 | 1 | 2019 | 11 | 張立承、甘廣宙 | 以MOS-NDR電路設計加法器 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2019民生電子研討會 | |
253 | 108 | 1 | 2019 | 11 | 吳念紋、甘廣宙 | 以可自行組合之I/O模組建立環境控制系統-魚菜共生 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2019民生電子研討會 | |
254 | 108 | 1 | 2019 | 11 | 吳念紋、甘廣宙 | 以可自行組合之I/O模組建立環境控制系統-魚菜共生 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2019民生電子研討會 | |
255 | 108 | 1 | 2019 | 11 | 張立承、甘廣宙 | 以MOS-NDR電路設計加法器 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2019民生電子研討會 | |
256 | 107 | 2 | 2019 | 3 | 甘廣宙、葉瑋翔、郭峻偉 | 以NOS-NDR架構動態除頻器電路 | 否 | 第一順位 | 口頭發表 | 2019追求高教卓越國際學術研討會 | |
257 | 107 | 2 | 2019 | 3 | 甘廣宙、郭奕麟、郭峻偉 | 以R-BJT-MOS-NDR構成的除頻器電路 | 否 | 第一順位 | 口頭發表 | 2019追求高教卓越國際學術研討會 | |
258 | 107 | 2 | 2019 | 3 | 甘廣宙、郭千平 | 以新型電路來設計三輸入之邏輯電路 | 否 | 第一順位 | 口頭發表 | 2019追求高教卓越國際學術研討會 | |
259 | 107 | 2 | 2019 | 3 | 甘廣宙、郭奕麟、郭峻偉 | 以R-BJT-MOS-NDR構成的除頻器電路 | 否 | 第一順位 | 口頭發表 | 2019追求高教卓越國際學術研討會 | |
260 | 107 | 2 | 2019 | 3 | 甘廣宙、葉瑋翔、郭峻偉 | 以NOS-NDR架構動態除頻器電路 | 否 | 第一順位 | 口頭發表 | 2019追求高教卓越國際學術研討會 | |
261 | 107 | 2 | 2019 | 3 | 甘廣宙、郭千平 | 以新型電路來設計三輸入之邏輯電路 | 否 | 第一順位 | 口頭發表 | 2019追求高教卓越國際學術研討會 | |
262 | 107 | 2 | 2019 | 5 | 張立承、甘廣宙 | 以MOS-NDR電路設計多種邏輯閘電路 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2019第十七屆微電子技術發展與應用研討會 | |
263 | 107 | 2 | 2019 | 5 | 張立承、甘廣宙 | 以MOS-NDR電路設計多種邏輯閘電路 | 否 | 第二順位 | 壁報發表 | 2019第十七屆微電子技術發展與應用研討會 | |
264 | 108 | 2 | 2020 | 7 | 吳念紋、甘廣宙 | 以組合式電路模組建立魚菜養殖系統-以辣椒、吳郭魚為例 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2020工程技術與實務應用研討會 | |
265 | 108 | 2 | 2020 | 7 | 陳俊翰、甘廣宙 | 以新架構來設計新型的乘法器 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2020工程技術與實務應用研討會 | |
266 | 108 | 2 | 2020 | 7 | 郭峻偉、甘廣宙 | 基於 MOS-NDR 電路之動態除頻器設計 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2020工程技術與實務應用研討會 | |
267 | 108 | 2 | 2020 | 7 | 陳俊翰、甘廣宙 | 以新架構來設計新型的乘法器 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2020工程技術與實務應用研討會 | |
268 | 108 | 2 | 2020 | 7 | 吳念紋、甘廣宙 | 以組合式電路模組建立魚菜養殖系統-以辣椒、吳郭魚為例
| 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2020工程技術與實務應用研討會 | |
269 | 108 | 2 | 2020 | 7 | 郭峻偉、甘廣宙 | 基於 MOS-NDR 電路之動態除頻器設計 | 否 | 第二順位 | 書面發表 | 2020工程技術與實務應用研討會 | |
270 | 110 | 1 | 2021 | 12 | 楊鎮瑜、甘廣宙 | 多峰值負微分電阻電路在多值記憶器上的應用 | 是 | 第二順位 | 壁報發表 | 2021民生電子研討會 | |
271 | 109 | 2 | 2021 | 3 | 郭峻偉、甘廣宙 | 以R-BJT-NDR架構設計壓控振盪器電路 | 是 | 第二順位 | 口頭發表 | 2021資訊科技與實務研討會 | |
272 | 109 | 2 | 2021 | 3 | 陳俊翰、甘廣宙 | 以MOS-NDR元件設計多重臨限之臨限邏輯閘電路 | 是 | 第二順位 | 口頭發表 | 2021資訊科技與實務研討會 | |
273 | 112 | 1 | 2023 | 12 | 王振哲、甘廣宙 | 以單穩態-雙穩態傳輸邏輯閘設計由MOS-NDR電路所構成之D型正反器 | 是 | 第二順位 | 壁報發表 | 2023民生電子研討會 | |
274 | 112 | 1 | 2023 | 12 | 賴俊毓、甘廣宙 | 以S型NDR實現除頻器與蔡氏電路 | 是 | 第二順位 | 壁報發表 | 2023民生電子研討會 | |