| 課程代碼 | 10123420106 | 上課學制 | 大學部 | | 課程名稱 | 半導體物理與元件導論（II）
Introduction to Semiconductor Physics and Devices (II) | 授課教師 (師資來源) | 高柏青(電子物理學系) | | 學分(時數) | 3.0 (3.0) | 上課班級 | 電物系3年甲班 | | 先修科目 | | 必選修別 | 選修 | | 上課地點 | 電物一館 A15-203 | 授課語言 | 國語 | | 證照關係 | 無 | 晤談時間 | 星期1第3節~第4節, 地點:A18B-307
星期2第5節~第6節, 地點:A18B-307
| | 課程大網網址 | https://web085004.adm.ncyu.edu.tw/Syllabus/Syllabus_Rpt.aspx?CrsCode=10123420106 | | 備 註 | | | 本課程之教學主題、內容或活動是否與性別平等議題有相關之處：否 |
◎系所教育目標：
本系課程除涵蓋一般物理學系應有之重要基礎課程外，並同時兼顧物理理論與應用，高年級課程編排，除表列光電、固態電子等物理專論外，將與校外產業資源結合，以實務技能之學習為目標，期能於在校期間即設計與科技產業接觸機會，拓展科技視野，為就業預作預備，或為升學奠定學術基礎。 | | ◎核心能力 | 關聯性 | | 1.培養基礎物理知能 | 4 關聯性稍強 | | 2.培養光電科學知能 | 4 關聯性稍強 | | 3.培養固態電子知能 | 5 關聯性最強 | | 4.培養實驗技能 | 3 關聯性中等 | ◎本學科學習目標：
簡介不同半導體元件結構、電子物理性質以及相關原理，可作為學生對半導體產業的有一定知識基礎。 | | ◎教學進度： | | 週次 | 主題 | 教學內容 | 教學方法 | 01
02/18 | 簡介 | 上課內容簡介
評量方式說明 | 講授、討論。 | 02
02/25 | PN接面 | PN接面的基本結構
零外加偏壓 | 講授、討論。 | 03
03/04 | PN接面 | 逆向偏壓
非均勻摻雜接面 | 講授、討論。 | 04
03/11 | PN接面二極體 | PN接面的電流 | 講授、討論。 | 05
03/18 | PN接面二極體 | PN接面的小訊號模型
產生-復合電流 | 講授、討論。 | 06
03/25 | PN接面二極體 | 接面崩潰
電荷儲存及二極體暫態
穿隧二極體 | 講授、討論。 | 07
04/01 | 金屬-半導體接面 | 蕭特基位障二極體 | 講授、討論。 | 08
04/08 | 金屬-半導體接面 | 金屬-半導體歐姆接觸 | 講授、討論。 | 09
04/15 | 期中考 | 期中考 | 筆試。 | 10
04/22 | 異質接面半導體 | 異質接面 | 講授、討論。 | 11
04/29 | 雙極性電晶體 | 雙極性電晶體的作用
少數載子的分佈 | 講授、討論。 | 12
05/06 | 雙極性電晶體 | 非理想效應 | 講授、討論。 | 13
05/13 | 雙極性電晶體 | 等效電路模型
頻率限制 | 講授、討論。 | 14
05/20 | 金氧半場效電晶體 | 兩端點MOS結構
電容-電壓特性 | 講授、討論。 | 15
05/27 | 金氧半場效電晶體 | 基本的MOSFET操作 | 講授、討論。 | 16
06/03 | 金氧半場效電晶體 | 頻率極限
非理想效應 | 講授、討論。 | 17
06/10 | 光電元件 | 太陽能電池
光偵測器
發光二極體 | 講授、討論。 | 18
06/17 | 期末考 | 期末考 | 筆試。 | ◎課程要求：
無 | ◎成績考核
課堂參與討論10%
期中考40%
期末考40%
作業/習題演練10%
| ◎參考書目與學習資源
Fundamentals of Semiconductor Physics and Devices, Neamen, McGraw Hill | | ◎教材講義 請改以帳號登入校務系統選擇全校課程查詢方能查看教材講義 |
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